P+F處理器分離型傳感器/P+F直接檢測(cè)型傳感器價(jià)格
集成傳感器是用標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)硅基半導(dǎo)體集成電路的工藝技術(shù)制造的。
通常還將用于初步處理被測(cè)信號(hào)的部分電路也集成在同一芯片上。
薄膜傳感器則是通過沉積在介質(zhì)襯底（基板）上的，
相應(yīng)敏感材料的薄膜形成的。使用混合工藝時(shí)，
同樣可將部分電路制造在此基板上。 　　
厚膜傳感器是利用相應(yīng)材料的漿料，涂覆在陶瓷基片上制成的，
基片通常是Al2O3制成的，然后進(jìn)行熱處理，使厚膜成形。 　　
陶瓷傳感器采用標(biāo)準(zhǔn)的陶瓷工藝或其某種變種工藝（溶膠-凝膠等）生產(chǎn)。 　　
完成適當(dāng)?shù)念A(yù)備性操作之后，已成形的元件在高溫中進(jìn)行燒結(jié)。
厚膜和陶瓷傳感器這二種工藝之間有許多共同特性，在某些方面，
可以認(rèn)為厚膜工藝是陶瓷工藝的一種變型。
P+F NBN4-12GM40-Z0-V1
P+F NBB0.8-5GM25-E2
P+F NEB22-30GM60-E2-V1
P+F NBN15-30GM50-E2
P+F NBN8-18GM50-E2
：\39526590\39529839/39529830轉(zhuǎn)8005或者8002
//
\39529831\39529839\39529839-8007或者8008
/
公司;
；單榮兵/余娟
P+F LFL3-BK-U-PVC5
P+F NBN4-12GM40-Z0-V1
P+F NJ0.6-3-22-E2
P+F NJ5-11-N-G
P+F NBB15-30GM50-E2
P+F MLV40-6/47/92
P+F LLR04-1.6-1.0-WC3
P+F MLV40-LL-1R/47/92
P+F GLV12-8-200/37/40B/92
P+F V1-W-E2-10M-PUR（10米長(zhǎng)）
P+F OCS5000-F8-UKT（RLK39-54-Z/31/40A/116）
P+F NBB5-18GM50-E2
P+F NEB6-12GM50-E2-V1
P+F RVI50N-09BK0A3TN-0500
P+F NJ6-F-A
P+F NJ5-11-N
P+F NJ2-11-N
P+F NJ1.5-6.5-N
P+F NJ8-18GM50-A2-V1
P+F處理器分離型傳感器/P+F直接檢測(cè)型傳感器價(jià)格